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Infineon Technologies IRFR3709Z
| Artikelnummer: | IRFR3709Z |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Infineon Technologies IRFR3709Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFR3709Z.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D-Pak Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V Verlustleistung (max) 79W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 86A (Tc) IRFR3709Z Einzelheiten PDF [English] IRFR3709Z PDF - EN.pdf -
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